第一个问题，真空环境约束。

因为光蚀刻系统制造的精细程度取决于很多因素。

但是实现跨越性进步的有效方法是降低使用光源的波长。

从光刻机起源到现在几十年来，光刻机厂商的做法都是将晶圆曝光工具从人眼可见的蓝光端开始逐渐减小波长，直到光谱上的紫外线端（UV）。

现在着名的厂商ASML最终选择的 13.5nm 波长射线，可以轻易地被很多材料吸收，所以EUV光刻机只能在真空下运行。

但是我们的‘超紫外光’可以适应认为广泛的环境。

第二个问题，弯曲射线。

由于EUV能被玻璃吸收，所以必须在机器中改变其走向，如此一来则必须用反射镜来代替透镜，而且必须使用布拉格反射器（一种多层镜面，可以将很多小的反射集中成一个单一而强大的反射）。

这一问题各位也无需担心，我的制造图纸已经做了相应的解释。

第三个问题，强大光源。

一个 EUV 光束在经过长途跋涉后，只有不到 2% 的光线能保留下来。为了减少成本，射线光源必须足够强，这个强度需要达到中心焦点功率达到250W。

但是我们所使用的‘超紫外光’已经能实现最终50%的光线保留，所以这方面我们的优势也很大。

第四个问题，独特光刻胶。

现有的光刻胶是化学放大光刻胶，由分子链聚合而成，可以增强入射光子的效果。

但这些材料对 EUV 的吸收效果并不好。

此外，由于入射光引起的放大反应在材料内部散射，光刻胶形成的图像会有轻微模糊。

针对这个问题，‘0.1纳米光刻机’重新设计了其配套的光刻胶，使用全新光刻胶就不会存在图像模糊情况。

第五个问题，保护掩模板。

当前主流的液浸式光刻机中，掩模版由一层被薄膜（即护膜）保护着。

这层薄膜距离掩模版有一点悬空的距离，像保鲜膜一样紧绷在上方，其作用在于当灰尘落在护膜上时影响聚焦而不能在晶圆上形成图案，因此不会损坏整个晶圆。

但是现在所用的的护膜不适用于其配套的的光源，因此EUV会损坏护膜。

同时若不使用护膜则很可能是最终良品率为0，这样一来整个光刻机的设计就是失败的。

因此能够制造出适合的护膜也将使光刻机的使用效率极大提升。